Транзистор BC547
BC547 – биполярный n-p-n транзистор общего назначения (general purpose), представляющий группу, в составе которой, например, компания Farchild Semiconductor выпускает еще четыре прибора, имеющих близкие характеристики, – BC546, BC548, BC549 и BC550.
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92, представляющем из себя усеченный с одной стороны цилиндр, с одного из торцов которого выведены три ножки прибора, находящиеся в одной плоскости и соединенные с электродами в следующем порядке: коллектор, база, эмиттер (если смотреть со стороны надписи и перечислять слева направо).
Особенности и применение
Высокий коэффициент усиления и небольшой собственный шум позволяют применять эти детали во входных каскадах усилителей, а малое значение напряжения насыщения – в качестве переключателя.
Комплементарные пары
Два транзистора являются комплементарными, или дополняющими, если имеют различную проводимость и очень близкие характеристики. Такие пары часто используются в усилительных каскадах. Для BC546–550 комплементарными являются, соответственно, транзисторы BC556–560.
Группировка транзисторов в зависимости от коэффициента усиления
Наличие в названии транзистора после цифр буквы означает, что величина параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для BC547-550 принята следующая разбивка:
Предельно допустимые значения
В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.
| Обозначение | Параметр | Значение | |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база, В | BC546 | 80 |
| (UCB max) | BC547/550 | 50 | |
| BC548/549 | 30 | ||
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер, В | BC546 | 65 |
| (UCE max) | BC547/550 | 45 | |
| BC548/549 | 30 | ||
| VEBO (UEB max) | Напряжение эмиттер-база (обратное), В | BC546/547 | 6 |
| BC548-550 | 5 | ||
| IC (ICmax) | Ток коллектора, А | 0,1 | |
| PC (PC max) | Рассеиваемая мощность, Вт | 0,5 | |
| Tj (tjmax) | Температура кристалла, °С | 150 | |
| Tstg | Температура хранения, °С | -65…+150 | |
Электрические параметры
В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.
Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.
Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.
Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.
Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.
Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.
Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Значение | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| ICBO | Обратный ток коллектора, nA | VCB =30В, IE =0 | 15 | |||
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE =5В, IC =2мА | 110 | 800 | ||
| VCE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC=10 мA, IB =0,5мA | 90 | 250 | ||
| IC=100 мA, IB =5мA | 200 | 600 | ||||
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC =10 мA, IB =0,5мA | 700 | |||
| IC =100 мA, IB =5мA | 900 | |||||
| VBE (UBE) | Напряжение б-э (прямое), В | VCE =5 В, IC =2 мA | 580 | 660 | 700 | |
| VCE =5 В, IC =10 мA | 720 | |||||
| fT | Граничная частота, МГц | VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц | 300 | |||
| Cob | Выходная емкость, пФ | VCB =10В, IE =0, f= 1MГц | 3,5 | 6 | ||
| Cib | Входная емкость, пФ | VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц | 9 | |||
| NF (F) | Коэффициент шума, дБ | ВС546-548 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц | 2 | 10 | |
| ВС549, 550 | 1,2 | 4 | ||||
| ВС549 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц | 1,4 | 4 | |||
| ВС550 | 1,4 | 3 | ||||
Типовые характеристики
Рис. 1. Выходная характеристика IC = f(VCE) при IB = 50… 400 мкА.
Рис.2. Передаточная характеристика IC = f(VBE) при VCE =5 В.
Рис.3. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE = 5 В.
Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б (f = 1 кГц, эмиттер свободен).
Импортные и отечественные аналоги
Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.
Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).
В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.
| Тип | VCEO, В | IC, мA | PC, мВт | hFE | fT, МГц | Цоколевка (слева направо) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC547 | 50 | 100 | 500 | 110-800 | 300 | кбэ |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100-1000 | от 150 | + (кбэ) |
| Импорт | ||||||
| BC171 | 45 | 100 | 350 | 120-800 | 150 | + (кбэ) |
| BC182 | 50 | 100 | 350 | 120-500 | 100 | + (кбэ) |
| BC237 | 45 | 100 | 500 | 120-460 | 100 | + (кбэ) |
| BC414 | 45 | 100 | 300 | 120-800 | 200 | + (кбэ) |
| BC447 | 80 | 300 | 625 | 50-460 | от 100 | + (кбэ) |
| BC550 | 45 | 200 | 500 | 110-800 | 300 | + (кбэ) |
| 2SC2474 | 30 | 100 | 310 | 20 | 2000 | + (кбэ) |
| 2SC828A | 45 | 100 | 400 | 130-520 | 220 | — (экб) |
| 2SC945 | 50 | 100 | 250 | 150-450 | от 150 | — (экб) |
Источник: datasheet Fairchild Semiconductor.
Транзисторы BC547 n-p-n малой мощности
Цоколевка BC547
Особенности
Максимально допустимые характеристики транзисторов BC547
Постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при токе базы, равном нулю (VCE0):
Постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (VCB0):
Постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (VEB0):
Постоянный ток коллектора (IC):
Диапазон значений температуры хранения и эксплуатации (TJ). (Tstg):
Тепловое сопротивление переход-среда (RΘJA):
Тепловое сопротивление переход-корпус (RΘJC):
Характеристики транзисторов BC547
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 10 µA:
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 2 mA:
Коэффициент усиления транзистора по току (hFE) при VCE = 5 V, IC = 100 mA:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 10 mA, IB = 0.5 mA:
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE sat) при IC = 100 mA, IB = 5 mA:
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V:
Обратный ток коллектор-эмиттеp при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (ICES) при VCE = 50 V, Tj = 125 °C:
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT):
Емкость коллектоpного перехода (CCBO) при VCB = 10 V, f = 1 MHz:
Емкость эмиттеpного перехода (CEBO) при VEB = 0.5 V, f = 1 MHz:
Коэффициент шума (F) при VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ, f = 1 kHz, Δf = 200 Hz:
Характеристики транзистора BC547
Как написано в технических характеристиках, BC547 – это кремниевый усилительный транзистор, который может использоваться в широком спектре различных устройств. Имеет n-p-n структуру. Был разработан компаниями Philips и Mullard в 1966 году. Сначала изготавливался в металлическом корпусе ТО-18 и назывался ВС107, который через время был заменён более дешёвым пластмассовым ТО-92. Его маркировка ВС говорит о том, что его основной материал кремний (В) и может использоваться в низкочастотных устройствах (С).
Цоколевка
Распиновка транзистора BC547 выполнена в пластмассовом корпусе с тремя гибкими ножками, предназначенными для дырочного монтажа. Если смотреть на транзистор сверху прямо на срез, то слева будет расположен коллектор, потом база и крайний справа вывод – это эмиттер. Детально ознакомиться с габаритами и внешним видом изделия можно по рисунку.
Технические характеристики
Рассмотрение технических параметров BC547, как и все производители начнём с максимально допустимых режимов эксплуатации. Данные значения важны, так как от них, во многом, зависят возможности транзистора. Для рассматриваемого устройства они были измерены при температуре +25°С и равны:
После предельно допустимых перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности BC547. Они были измерены при температуре +25°С. Остальные значения параметров, от которых зависят результаты тестирования, приведены в колонке «Условия измерения».
f=100МГц
f =1.0кГц, Δf=200Гц
Кроме этого, некоторые производители делят транзисторы BC547 на три группы, в зависимости от к-та усиления: А (h FE = 100 …220), В (h FE = 200 …450), С (h FE = 420 …800).
Аналоги
Среди аналогов BC547 можно назвать: 2SC945, BC546, BC550, 2N2222. Среди отечественных транзисторов, которые могут его заменить, можно назвать КТ3102А, КТ3102АМ, КТ3102Б, КТ3102БМ, КТ3102Г. При поиске подходящего устройства нужно быть внимательным и проверять технические характеристики.
Производители и Datasheet
Приведем самых крупных производителей и их datasheet на BC547:
В продаже можно найти рассматриваемый транзистор выпущенный: Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, Diotec Semiconductor.
Транзистор BC547
Данный вид устройства часто используется радиолюбителями и учебными заведениями, так как характеристики биполярного NPN- транзистор BC547 транзистора позволяют ему быть задействованным в различных электронных устройствах. Поставляется преимущественно в упаковке TO-92 или усовершенствованной ТО-226. Максимальный выходной ток, который способен выдержать этот полупроводниковый прибор, составляет 100 мА.
Так же он имеет очень хорошее усиление (до 800 hFE) и низкий уровень шума (до 10 дБ), благодаря чему идеально подходит для первичных каскадов усиления сигнала. Возможность работы в полосе 300 МГц позволяет его называть высокочастотным. Типовое напряжение насыщения составляет всего 90 мВ, являющееся его несомненным преимуществом при использовании в схемах в качестве переключателя.
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: коллектор, база, эмиттер. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
Основные технические характеристики
В datasheet на bc547 обычно присутствует описание на похожие, по своим характеристикам, транзисторы серий: BC546, BC548, BC549 и BC550. Похожие, но не совсем. Между собой они все таки отличающиеся. Например, bc547 отличается величинами пороговых напряжений и находится в таблице максимальных параметров между bc546 и bc548. Также, все типы устройств разбиты по группам максимального коэффициента усиления по току hFE– от А до С. У группы «A» коэффициент усиления будет самый маленький, а у «C» наибольший.
Подробное описание можно найти в даташит от производителя. Обычно оно включает таблицу предельно допустимых значений эксплуатационных параметров и электрические характеристики, при которых устройство работает стабильно.
Предельно допустимые параметры
Предельно допустимые значения эксплуатационных параметров указываются изготовителем в самом начале технического описания. Они включают в себя следующие параметры:
Дополнение «max», в обозначении допустимых параметров, указывает на их максимальные значения, но иногда оно опускается в описании. Ниже приведены полный перечень предельно допустимых значений при эксплуатации bc547, взятый из тех описания у компании Fairchild Semiconductor.
Электрические характеристики
Теперь рассмотрим электрические параметры bc547. Они указываются изготовителем устройств сразу после описания придельных значений. В этих характеристиках, в отдельном столбце (test condition) указываются значения, при которых устройство было протестировано производителем. Обычно тестирование проводится при температуре окружающей среды, не более 25 градусов.
Коэффициент усиления
Комплементарная пара
У малошумящего транзистора, заточенного на усиление слабых сигналов высокой частот, почти всегда есть комплементарник с другим типом проводимости и близким по величине коэффициентом усиления hFE. Это обусловлено широким применением таких устройств в первичных каскадах усиления в паре. Комплементарной парой с PNP-структурой для него является BC557.
Аналоги и возможная замена
Полный современный аналог транзистора BC547 это — bc550. Так же, перед поиском аналогов рекомендуется присмотреться к соседям по даташиту, имеющим лишь небольшие отличия по пороговым напряжениям пробоя: bc546, bc548, bc549. Некоторые радиолюбители используют в качестве замены 2n3904, 2n4401, bc337, bc639, 2N3055, 2N2369, 2SC5200.
Еще одним, из наиболее распространенных заменителей является транзистор 2N2222. Он имеет аналогичные характеристики, включая распиновку и корпус. Различия лишь в большей по величине мощности рассеивания (до 625 мВт), токе коллектора до 600 мА и немного увеличенными входными и выходными емкостями. Входные и выходные емкости могут влиять лишь на цепи во время работы на высоких частотах. Таким образом, если нужно большее усиление, то можно использовать 2n2222.
Маркировка
BC547 разработан компанией Philips в 1966 году в Голландии, поэтому маркировка у него соответствует европейской системе Pro Electron. Первая буква обозначает тип используемого полупроводника — «B» для кремния. Вторая буква указывает на частоту работы — «C» маломощный, низкочастотный. Несмотря на то, что он высокочастотный (до 300 МГц), изготовитель по каким то причинам указал его в маркировке низкочастотным. О причинах такого наименования история умалчивает. Иногда в обозначении не пишут первую букву и тогда получается: c547b, c547c, с547в, c547b.
Немного о стандартах
Изготовители постоянно совершенствуют процесс производства и могут изменять указанные характеристики, но они не должны быть меньше величин зарегистрированных для bc457 в стандарте Pro Electron. Например, у компании On Semiconductor максимальная мощность (при 25°C) устройства достигает 625 мВт, оно в настоящее время наиболее распространено. У компании Philips коэффициент усиления hFE для группы «B» варьируется от 220 до 475. У некоторых компаний-изготовителей появилась поддержка импульсного тока коллектора (до 200 мА). Поэтому пред использованием устройства в своих проектах повторно ознакомьтесь с его техническим описанием.
Принцип работы
Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.
Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).
Транзисторы n-p-n-структуры иногда называют полупроводниковыми приборами обратной проводимости.
Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.
Применение
Широко применяется в ключевом и усиливающем режиме, в различных схемах управления драйверами реле, светодиодов, двигателей, а также схемах усиления сигналов низкой и высокой частоты. Примеры схем и порядок создания простых устройств, методом навесного монтажа, можно посмотреть в видео. В нем представлена информация по возможностям использования bc547 в некоторых проектах: задержку выключения своими руками, автоматического освещения, светодиодный стробоскоп, простейшая охранная сигнализация и аудио усилитель.
Производители
Такие компании, как NXP, Philips, Micro Electronics, Fairchild, ON Semiconductor, Vishay и многие другие, являются лидерами в производстве этого устройства.
Bc547 цоколевка и параметры
Наименование производителя: BC547
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
BC547 Datasheet (PDF)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC546/DAmplifier TransistorsBC546, BNPN SiliconBC547, A, B, CBC548, A, B, CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RA
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC546; BC547NPN general purpose transistors1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC546; BC547FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
Phi I i ps Semi cnduct rsPrduct speci ficat i n Phi l i ps Semi conduct ors Product speci ficat i onNPN generaI purpse t ransi st rsBC546; BC547 NPN gener al purpose t ransist orsBC546; BC547FEATURES PI NNI NG THERMAL CHARACTERI STI CS Low cur r ent (max. 100mA)PINDESCRI PTI ON SYMBOLPARAMETERCONDI TI ONS VALUE UNI T Low vol t age (max. 65 V).1 emi t t er Rthj-a t
Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-
BC546A/B/CMCCMicro Commercial C omponentsTMBC547A/B/C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933BC548A/B/CFax: (818) 701-4939FeaturesNPN Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Amplifier Transistor Through Hole Package 150 C Junction Tempe
0.10. sbc547.pdf Size:199K _auk
SBC547NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application C Switching application BFeatures High voltage : VCEO=45V E Complementary pair with SBC557 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC547 SBC547 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-Base volt
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC546, A, B, CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC547, A. B, CBC548, A. B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC546 BC547 BC548 UNITSCollector Em
BC546/BC547/BC548(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER FeaturesHigh Voltage Complement to BC556,BC557,BC558 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage BC546 80 BC547 50 VCBO V BC548 30 Collector-Emitter Voltage BC546 65 VCEO BC547 45 V BC548 30 Dimensions in i
BC546, A/BBC547, A/B/CBC548, A/B/CNPN General Purpose Transistor COLLECTOR1TO-922BASE1233EMITTERMaximum Ratings( T =25C unless otherwise noted)ARating Symbol BC546 BC547 BC548 UnitCollector-Emitter Voltage VECO 65 45 30VdcCollector-Base Voltage V 80 50 30 VdcCBOEmitter-Base Voltage VEBO 6 6 6 VdcCollector Current Continuous lC 100mAdcTHERMAL CHA
0.15. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek
Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector
