bt1690 транзистор цоколевка и параметры

Регулятор мощности паяльника на тиристоре BT169

Часто, покупая дешёвые паяльники, разочаровываешься при первом же включении. Проблема у всех одна и та же —перегрев паяльника. Производители, зачастую, экономят количество нихрома из-за этого мощность нагревателя растёт. Они преподносят сильный нагрев как плюс. Ну а начинающему радиолюбителю это будет неприятный сюрприз.

Самый распространенный способ устранения нагрева это диммер. Мне нужно, чтобы он был компактным. Я в своем паяльнике применил тиристорный регулятор на bt169g. Это маленький тиристор в корпусе то-92. Данный экземпляр может коммутировать нагрузки до 100 ватт. Его можно также заменить на MCR22-8.

.

Вот схема данного регулятора:

Данный регулятор изменяет напряжения в диапазоне от 220 до 120 вольт, срезая одну из полуволн сетевого напряжения. Для паяльников больше и не нужно, даже при 110 он едва плавит припой. Моему же паяльнику надо было лишь немного снизить мощность.

В процессе сборки схемы, я поменял R1 на 500 кОм (т.к последний оказался неисправен) и R5 на 1 килоом.

Свой регулятор я уместил небольшом пластиковом корпусе в разрыв шнура. Честно говоря, лучше размещать его ближе к вилке, так удобней. В качестве индикатора мощности я применил красный светодиод, включенный по схеме:

Источник

Транзистор B772

B772 — Кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с PNP структурой.

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных каскадах аудио усилителей мощности, преобразователях постоянного напряжения в постоянное, регуляторах напряжения и управляющих цепях релейных устройств.

Характерные особенности

Корпус и цоколевка

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.

Типовые термические характеристики для 2SB772/S/SS

Характеристика	Корпус	Символ	Величина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	12,5
		12,5
		25
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	104
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	357

Электрические характеристики (при T_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCE = 30 В, IE = 0	≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА	ICEO	UCE = 30 В, IB = 0	≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА	IEBO	UBE = 3 В, IC =0	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 2 А, IB = 200 мА	≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 2 А, IB = 200 мА	≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U(BR)CBO	IC = 100 мкА, IE = 0	˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 1 мА, IB = 0	˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 100 мкА, IC = 0	˃ 5
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 2 В, IC = 0,02 А	≥ 30
	hFE (2)	UCE = 2 В, IC = 1,0 А	от 100 до 400
Частота среза, МГц	fT	UCE = 5 В, IC = 0,1 мА	80
Выходная емкость, pF	CC	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Классификация

Классификация транзисторов по группам по величине статического коэффициента усиления h_FE при поставках.

Группа по величине hFE	Q	P	E
Значение hFE в пределах группы	от 100 до 200	от 160 до 320	от 200 до 400

Модификации и группы транзистора B772

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
2SB772	12,5 (1,25)	60	30	5	3	150	50	—	60
2SB772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	40	55	160
BTB772ST3	10,0 (1,0)	40	30	5	2	150	80	55	180
BTB772T3	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	180
CSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
CSB772 (P, Q, R, E)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	200
FTB772	(1.25)	40	30	6	3	150	80	55	60
KSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
KSB772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
KTB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
PMB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
ST2S772T	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
TSB772CK	10,0 (1,0)	50	30	5	3	150	80	55	100
B772C	(1.25)	40	30	6	3	150	50	—	60
B772P	15,0 (1,25)	40	30	6	3	150	50	—	120
HSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	100
2SB772B	25,0 (2,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
2SB772I	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	30
B772PC	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	120
BTB772I3	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	180
WTP772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	30
2SB772D	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
B772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	60
BTB772AJ3	15,0 (1,0)	50	30	7	3	150	190	33	180
BTB772J3	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	80	55	180
FTB772D	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	60
GSTD772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	—	60
ST2SB772R	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	100
B772M	(1.25)	40	30	6	3	150	50	—	60
2SB772A	(0.5)	70	60	6	3	150	50	—	60
2SB772GP	(1.5)	40	30	5	3	150	100	55	160
ZX5T250	(0.5)	70	60	6	3	150	50	—	160
2SB772S	(0.5)	40	30	5	3	150	80	45	100
ALJB772	(1)	40	30	6	1.5	150	100	—	200
B772S	(0.625)	40	30	6	3	150	50	—	60
BTB772SA3	(0.75)	50	50	5	3	150	80	55	180
GSTS772	(0.625)	40	30	5	3	150	80	—	60
HB772S	(0.75)	40	30	5	3	150	80	55	100
HSB772S	(0.75)	40	30	5	3	150	80	55	100
TSB772SCT	(0.625)	50	30	5	3	150	80	55	100
2SB772L	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
2SB772M	(0.35)	40	30	5	3	150	80	45	100
B772SS	10,0 (0,35)	40	30	5	3	150	80	45	100
2SB772N	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60
2SB772ZGP	(1.5)	40	30	5	3	150	100	55	160

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус	Примеча-ние
2SB772	12,5 (1,25)	60	30	5	3	150	50	—	60	TO-126
(2)КТ914А	7	65	65	4	0,8	150	350	12	—	—
(2)КТ932А/Б/В	20	80/60/40		4,5	2	150	100	300	от 15 до 120	—	TC ≤ 50°C
(2)КТ933А/Б	5	80/60		4,5	0,5	150	75	100	от 15 до 120	—	TC ≤ 50°C
КТ973А/Б/В/Г	8	60/45/60/60		5	2	150	—	—	от 750 до 5000	—
КТ974А/Б/В	5	80/60/50		3	2	150	450	80	от 10 до 120	—	TC ≤ 50°C

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
2SB772	12,5 (1,25)	60	30	5	3	150	50	—	60	TO-126
2SA1359 (O, Y)	10,0 (1,0)	40	40	5	3	150	100	35	70	TO-126
2SB843	10,0 (1,0)	50	40	6	5	175	—	—	90	TO-126
BTB1424AD3	10,0 (1,0)	50	50	6	3	150	240	35	180	TO-126
BTB1424AT3	10,0 (1,0)	50	50	6	3	150	240	35	180	TO-126
H772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
HT772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	100	TO-126
KSH772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
ST2SB772T	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
2SA1761	(0,9)	60	50	6	3	150	100	—	120	TO-92
2SA3802	(0,8)	40	30	6	3	150	80	—	60	TO-92
2SB985 (R, S, T, U)	(1)	60	60	6	3	165	150	—	280	TO-92
BR3CG3802	(0,8)	40	30	6	3	150	80	—	60	TO-92
KTB985	(1)	60	50	6	3	150	150	—	100	TO-92
ZTX949	(1,2)	50	30	6	4,5	200	120	—	100	TO-92
ZTX951	(1,2)	100	60	6	4	200	—	100	TO-92
ZTX953	(1,2)	140	100	6	3,5	200	125	—	100	TO-92
2SA2039-TL-E	15	50	50	6	5	150	360	24	200	TO-252
2SA2126-TL-E	15	50	50	6	3	150	390	24	200	TO-252
2SAR573D	10	50	50	6	3	150	300	35	180	TO-252
BTA2039J3	15	60	50	6	5	150	150	42	200	TO-252
BTB1184J3	15	—	—	6	3	150	80	35	180	TO-252
BTB1184J3S	15	—	—	6	3	150	80	35	270	TO-252
BTB9435J3	10	40	32	6	3	150	180	20	180	TO-252

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при разных токах базы I_B управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора f_T при изменении коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В и токе базы I_B = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) C_C от напряжения коллектор-база U_CB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности P_C при различных температурах корпуса транзистора T_C.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока I_C при изменении температуры корпуса T_C и при двух различных условиях:

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме I_{C(max) Pulse} и предельный постоянный ток I_{C(max) DC} ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер U_CE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Источник

Транзистор C2335

C2335 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение TO-220.

Основная информация предоставлена для KSC2335. В таблице «модификации и группы» расмотрены и другие маркировки транзистора и их отличия между собой.

Корпус и цоколевка

Предназначение

Силовой транзистор в штампованном корпусе разработан для применения в качестве ведущего элемента в релейных регуляторах, преобразователях напряжения, инверторах, преобразователях частоты, высокочастотных усилителях мощности.

Характерные особенности

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%.

Электрические характеристики

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
hFE2	20….40	30….60	40….80

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Импульсы напряжения U_IN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Модификации и группы транзистора 2335

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	hFE	Группы по hFE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	R, O, Y	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс
2SC2335F	40	500	400	7	7	150	—	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс
2SD2335	100	1500	600	5	7	150	—	tf ˂ 1 мкс
CSC2335	40	500	400	7	7	150	R, O, Y	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс
2SC2335	40	500	400	7	7	150	M, L, K

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 8	tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	tf = 0,2…1,3 мкс
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	hFE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

Источник