Bu 406 транзистор параметры

Наименование производителя: BU406

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TOP66

BU406 Datasheet (PDF)

0.1. bu406 bu407.pdf Size:100K _motorola

Order this documentMOTOROLAby BU406/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU406BU407NPN Power TransistorsThese devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflectionoutput

BU406SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FORMONOCHROME TV 3DESCRIPTION 21The BU406 is a silicon Epitaxial Planar NPNtransistor in Jedec TO-220 plastic package.TO-220It is a fast switching device for use in horizontaldeflection output stages of la

BU406DBU407DSILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES NPN TRANSISTOR VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FORMONOCHROME TV 321 TO-220DESCRIPTION The BU406D and BU407D are silicon planarepitaxial NPN transistors with integrated damperdiode, in Jedec TO-220 plastic package. Theyare fast switching, devices for us

BU406/406H/408High Voltage Switching Use In Horizontal Deflection Output StageTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP Co

BU406/406H/408 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCHINGTO-220USE IN HORIZONTAL DEFLECTIONOUTPUT STAGEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 400 V Collector-Emitter Voltage VCEO 200 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 7 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Peck Current ICM 10 A Base Current

BU406, BU407NPN Power TransistorsThese devices are high voltage, high speed transistors for horizontaldeflection output stages of TVs and CRTs.Features High Voltage: VCEV = 330 or 400 Vhttp://onsemi.com Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 ANPN SILICON Pb-Free Packages are Available*POWER TRANSISTORS7

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD BU406 NPN PLANAR TRANSISTOR SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTIONThe UTC BU406 is a NPN expitaxial planar transistor. It is a fast switching device for use in horizontal deflection output stages of large screens MTV receivers with 110C CRT. ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Fre

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BU406BU407TO-220Plastic PackageHorizontal Deflection Output Stages of TV and CRTABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BU406 BU407 UNITCollector Emitter Voltage VCEO 200 150 VCollector Base Voltage VCBO 400 330 VVCEVCollector Emitter Volta

0.9. bu406s.pdf Size:910K _blue-rocket-elect

BU406S(BR3DA406SR) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features High voltage. / Applications High voltage switching and humidifier. / Equivalent Circuit / Pinning 1 2

0.10. hbu406h.pdf Size:147K _shantou-huashan

150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

0.11. hbu406.pdf Size:548K _shantou-huashan

150 TjJunction Temperature150 PCCollector DissipationTc=25

0.12. bu406 a8.pdf Size:151K _crhj

NPN R BU406 A8 BU406 A8 NPN VCEO 100 V IC 7 A Ptot TC=25 60 W

0.13. bu406a8.pdf Size:151K _crhj

NPN R BU406 A8 BU406 A8 NPN VCEO 100 V IC 7 A Ptot TC=25 60 W

0.14. bu406.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU406DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

0.15. bu406f bu407f.pdf Size:141K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BU406F/407F DESCRIPTION High Voltage Fast Switching Speed- : toff= 0.75s (Max) Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators and motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) S

0.16. bu406d.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU406DDESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVFast Switching Speed-: t = 0.75s(Max)fLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXI

0.17. bu406h.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU406HDESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

0.18. bu406d bu407d.pdf Size:61K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU406D BU407D DESCRIPTION With TO-220C package High voltage Fast switching speed Low saturation voltage Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection output stages of TVs and CTVs circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 moun

Источник

Параметры транзистора BU406. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Высказывания:
Войско баранов, возглавляемое львом, всегда одержит победу над войском львов, возглавляемых бараном.

Основные параметры транзистора BU406 биполярного низкочастотного npn.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
60W	400V	200V	6V	10A	150°C	5MHz	—	10MIN

Производитель: STE
Сфера применения: RF, Power, High Voltage
Популярность: 29162
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BU406

Общий вид транзистора BU406.	Цоколевка транзистора BU406.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BU406.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Bu 406 транзистор параметры

Наименование производителя: BU406_A8

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

BU406_A8 Datasheet (PDF)

0.1. bu406 a8.pdf Size:151K _crhj

NPN R BU406 A8 BU406 A8 NPN VCEO 100 V IC 7 A Ptot TC=25 60 W

8.1. bu406 bu407.pdf Size:100K _motorola

Order this documentMOTOROLAby BU406/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABU406BU407NPN Power TransistorsThese devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflectionoutput

Источник

Bu 406 транзистор параметры

Наименование производителя: BU406H

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TOP66

BU406H Datasheet (PDF)

0.3. hbu406h.pdf Size:147K _shantou-huashan

150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

0.4. bu406h.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

Источник

bu 406 транзистор параметры

Bu 406 транзистор параметры

BU406 Datasheet (PDF)

Параметры транзистора BU406. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Основные параметры транзистора BU406 биполярного низкочастотного npn.

Схемы транзистора BU406

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BU406.

Другие разделы справочника:

Bu 406 транзистор параметры

BU406_A8 Datasheet (PDF)

Bu 406 транзистор параметры

BU406H Datasheet (PDF)