Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 3DD127D.

Высказывания:
Среди экономистов реальный мир зачастую считается частным случаем.
Наблюдение Хонгрена

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
50000	700	400	9	2500	-55+150	5000000	10-40

Производитель: JITONG TECHNOLOGY
Сфера применения:
Популярность: 20913
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 3DD127D

Общий вид транзистора 3DD127D.	Цоколевка транзистора 3DD127D.

Дата создания страницы: 2015-01-19 08:12:58.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD127D.

Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2015-01-19 08:13:58; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Dd127d транзистор параметры цоколевка

Наименование производителя: 3DD127_D5

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO126A

3DD127_D5 Datasheet (PDF)

NPN R 3DD127 D5 3DD127 D5 NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot W TC=25 40

NPN R 3DD127 D3 3DD127 D3 NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot TC=25 40 W

NPN R 3DD127 D5 3DD127 D5 NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot W TC=25 40

NPN R 3DD127 D3 3DD127 D3 NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot W TC=25 40

8.3. 3dd127d.pdf Size:151K _crhj

NPN R 3DD127D 3DD127D NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot TC=25 50 W

Источник

Транзистор TIP127

Согласно своим характеристикам, транзистор TIP127 относится к мощным кремниевым p-n-p изделиям. Он является составным, биполярным, выполненным по схеме Дарлингтона. Может использоваться в схемах управления, где не важна высокая скорость переключения, но требуется большая мощность. Также применяется в системах управления импульсным двигателем и в усилителях общего использования.

Распиновка

Цоколевка у TIP127 следующая. Большинство фирм производителей изготавливают данный транзистор в корпусе ТО-220 с жесткими выводами. Материал корпуса пластмасса. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки является базой, второй коллектором, третий эмиттером. Коллектором также является металлическое основание.

Но есть и исключения из правил. Так, компания Unisonic Technologies выпускает данный прибор в другом пластовом корпусе ТО-126. Первая ножка рассматриваемого устройства – эмиттер, вторая – коллектор, третья – база.

Маркировка

На лицевой стороне корпуса транзистора наносится маркировка. На ней расположены такие сведения:

Технические характеристики

Максимальные значения параметров транзистора TIP127 компании-производители обычно указывают в самом начале технической документации. Они измеряются при температуре +25 О С. Рабочие значения должны быть меньше предельно допустимых на 20%. Рассмотрим их подробнее:

Электрические характеристики

В таблице электрических параметров имеется специальный столбец, в котором приведены значения, при которых производитель тестировал устройства. Измерение производится при той же температуре, что и при определении максимальных параметров.

Тепловые параметры

Необходимо помнит, что без охлаждения, вместе с увеличением температуры, рассеиваемая мощность устройства резко падает. Практически все производители наглядно представляют эти изменения в даташит в виде графиков.

Аналоги

Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.

Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.

Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.

Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.

Производители

Занимаются производством рассматриваемого транзистора такие зарубежные фирмы: STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Foshan Blue Rocket Electronics, ON Semiconductor, Foshan Blue Rocket Electronics, Continental Device India Limited, TRANSYS Electronics Limited, JILIN SINO-MICROELECTRONICS, Savantic, Tiger Electronic, TAITRON Components Incorporated, Central Semiconductor, Power Innovations, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, TAI-SAW TECHNOLOGY, KEC(Korea Electronics), Wing Shing Computer Components, New Jersey Semi-Conductor Products, SemiHow, Motorola, Comset Semiconductor, Boca Semiconductor Corporation, Nanjing International Group, Weitron Technology, First Components International, Rectron Semiconductor, Mospec Semiconductor. Кликнув по ссылке, можно скачать datasheet tip127 компании-изготовителя.

На Российском рынке наиболее распространены транзисторы STMicroelectronics.

Источник

Характеристики транзистора TIP127

Характеристики кремниевого транзистора TIP127 говорят о том, что он довольно мощный, относится к типу составных n-p-n триодов (схема известного физика Сидни Дарлингтона). Применяется в тех схемах управления, где приоритет отдаётся мощности а не скорости переключения. Ещё одна область использования — это неспециализированные усилители и системы управления импульсными двигателями.

Цоколевка

Для удобства восприятия приведём распиновку, т.е. обозначение выводов транзистора TIP127 вместе с внутренней схемой и примером маркировки. Обратите внимание, что вывод коллектора «2» объединён с металлическим креплением. В основном выпускается данный полупроводник в пластмассовом корпусе с жёсткими ножками стандарта ТО-220.

В редких случаях Вам может попасться изделие в корпусе ТО-126. Будьте внимательны, т.к. цоколевка у таких компонентов будет иная, её мы так же приводим для наглядности.

Технические характеристики

Максимальные характеристики транзисторов очень важны, т.к. при проектировании позволяют подобрать оптимальные компоненты для работы в штатном и предельном режимах. В Datasheet TIP127 (можно скачать по ссылке в конце статьи) они приведены, измеренные в стандартных условиях при температуре +25 О С. Рекомендовано в нормальном режиме работы не допускать превышения 80% от предельных значений:

Далее в документации приводятся электрические характеристики, измеренные при определенных условиях (графа в таблицы «режимы измерения»). Значение температуры при испытаниях так же составляет +25 О С.

Рассмотрим теперь тепловые характеристики. Данная группа параметров важна для транзисторов, которые должны рассеивать немалую мощность. Следует также учитывать, что при изменении температуры кристалла параметры транзистора могут измениться.

Также эти данные важны при выборе радиатора. Ниже представлен график зависимости максимальной рассеиваемой мощности от температуры кристалла. На нем показано, что если она меньше +25 О С транзистор может рассеивать до 65 Вт, при увеличении этого показателя мощность уменьшается.

Аналоги

У транзистора TIP127 немало аналогов, среди зарубежных устройств. Вот некоторые, имеющие такой же корпус, распиновку, схожие параметры и выполняющие аналогичные функции:

А это транзисторы, которые так же подходят в качестве аналога TIP127, но электрические параметры не полностью идентичны:

Есть у него и отечественный аналог — это КТ8115А.

Комплементарной парой для него является TIP122.

Производители

Производство транзистора TIP127 налажено у следующих иностранных компаний:

В России в большинстве случаев можно встретить транзисторы, выпускаемые компаниями Fairchild Semiconductor и STMicroelectronics.

Источник

Транзистор TIP122

TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

Типовые термические характеристики

Характеристика	Символ	Величина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	62,5
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	1,92

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.

Характеристика	Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мА	ICBO	UCB = 100 В, IE = 0	≤ 0,2
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА	ICEO	UCE = 50 В, IB = 0	≤ 0,5
Ток базы выключения, мА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat) (1)	IC = 3 А, IB = 12 мА	≤ 2 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat) (2)	IC = 5 А, IB = 20 мА	≤ 4 В
Напряжение включения база-эмиттер, В *	UBE(ON)	IC = 3 А, UCE = 3,0 В	≤ 2,5
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *	UCEO(sus)	IC = 30 мА, IB = 0	100
Статический коэффициент усиления по току *	hFE (1)	UCE = 3 В, IC = 0,5 А	≥ 1000
	hFE (2)	UCE = 3 В, IC = 3 А	≥ 1000
Выходная емкость, pF	COB	UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц	300

٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Модификации транзистора TIP122

Модель	PC ٭	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	CC, pF	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	300	≥ 1000	TO-220
TIP122F	65	100	100	5	5	150	200	≥ 1000	TO-220FP ٭٭
TIP122FP	29
TIP122L	40								TO-126
STTIP122	65								TO-220
HTIP122									TO-220AB

٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.

٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65		100		5		4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25		100		3		4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100		8		7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10		5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12		5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение U_CE = 3 В.

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы I_B соотносится с током коллектора I_Cкак 1:100.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора T_C в режиме повторяющихся импульсов длительностью t_p = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы I_B соотносится с током коллектора I_Cкак 1:100.

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

Источник