Tip41c транзистор характеристики для чего используется

Характеристики транзистора TIP41C

В данной статье все технические характеристики транзистора tip41c взяты с их официальных datasheet (их можно скачать в конце) от производителей. Он имеет структуру n-p-n и изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Чаще всего его устанавливают в усилителях и переключающих схемах, в которых требуется высокая скорость переключения. Кроме этого он может использоваться в выходных каскадах УНЧ относящихся к Hi-Fi классу.

Цоколевка

Все производители выпускают TIP41C в корпусе ТО-220 или его разновидностях, например, TO-220AB, TO-220C, TO-220F. Если смотреть прямо на маркировку, то ножки будут расположены слева на право в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Если радиатор транзистора сделан их металла, то он подключён к коллектору. Если корпус полностью пластиковый (например, TO-220F), то, естественно, такое соединение отсутствует.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики TIP41C, которые производители размещают в начале своей технической документации. Они важны, так как от них зависит, при каких рабочих параметрах будет работать транзистор, а при их превышении он может выйти из строя. Для рассматриваемого устройства, при температуре 25°С, они равны:

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров TIP41C. От них зависит, для чего можно использовать транзистор. При их измерении важную роль играют условия тестирования, поэтому они были вынесены в отдельную колонку таблицы. Температура, при которых производились измерения, стандартная +25°С.

75 Граничная частота коэффициента передачи тока V_CE=10В,I_C= 500мA f_T 3,0 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер I_C = 6A,

I_B = 600мA V _CE(sat) 1,5 В Напряжение насыщения база-эмиттер V_CE = 4V, I_C = 6A V _ВE(sat) 2,0 В Статический коэффициент передачи тока I_C = 0,5A, V_CE=10В, f=1кГц h_fe 20 Граничная частота коэффициента передачи тока I_C=0.5A, V_CE=10В, f_т 3 МГц

При проектировании мощных устройств, которые выделяют большое количество тепла, нужно знать тепловые характеристики транзистора. Они характеризуют способность рассеивать энергию в окружающую среду. Чем быстрее они её выделяют тем меньше будет греться TIP41C и тем в более мощных схемах его можно будет устанавливать.

Тепловые характеристики транзистора TIP41C
Параметры	Обозн.	max	Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус	Rthj—case	1,92	О С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда	Rthj-amb	62,5	О С/Вт

Аналоги

При необходимости TIP41C можно заменить на:

Отечественными аналогами являются КТ819Г и КТ8212А. Комплементарная пара для TIP41C – это TIP42C.

Производители

Назовём самых крупных производителей транзистора TIP41C и приведём их datasheet.

Этих почти нет в Российских магазинах:

Эти можно часто встретить в отечественных магазинах:

Источник

Tip41c транзистор характеристики для чего используется

Наименование производителя: TIP41C

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

TIP41C Datasheet (PDF)

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP41C NPN PLANAR TRANSISTOR NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TIP41C is a NPN expitaxial planar transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. FEATURE * Complement to TIP42C ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1

SEMICONDUCTOR TIP41CTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.ARFEATURESS Complementary to TIP42C.PDDIM MILLIMETERSA 10.30 MAXB 15.30 MAXC 0.80MAXIMUM RATING (Ta=25 )_+D 3.60 0.20TE 3.00CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF 6.70 MAX_G 13.60 + 0.50VCBO LCollector-Base Voltage 100 VH 5.60 MAXC CJ 1.37 MAXVCE

SEMICONDUCTOR TIP41CFTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.ACFEATURESDIM MILLIMETERSSComplementary to TIP42CF._A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3EC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05_E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.5+0.1/-0.05_+J 13.6 0.5L LCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT RK

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.10. htip41c.pdf Size:42K _hsmc

0.11. tip41c.pdf Size:204K _semtech

TIP41C NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit100 VCollector Base Voltage VCBO 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 6 ACollector Current IC 10 ACollector Current (Pulse) ICP 2 ABase Current IB O

0.12. tip41c to220.pdf Size:229K _first_silicon

SEMICONDUCTORTIP41/41A/41B/41C TECHNICAL DATAAOCFE TIP41/41A/41B/41C TRANSISTOR (NPN) BDIM MILLIMETERS A 10.15 0.15 FEATURES B 15.30 MAX C 1.3 0.1/-0.15PD 0.8 0.1 Medium Power Linear Switching Applications E 3.8 0.2F 2.7 0.2JH 0.4 0.15D J 13.6 0.2H N 2.54 0.2N N O 4.5 0.21 2 3 P 2.7 0.21 BASE2 COLLECTOR3 EMITTER

0.13. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

0.14. tip41c.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

Источник

Транзистор TIP41C

Цоколевка

Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса (T_C) не более 25 о C:

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

Особенности маркировки

Обозначение, выведенное на корпусе tip41C говорит о том, что он впервые был изготовлен на заводах американского производителя радиоэлектронных компонентов Texas Instruments. Первые две буквы «TI» указывают на маркировку этой известной компании, а последующая «P» на высокую мощность прибора (от английского слова «power»). Далее идет символ «С», который определяет принадлежность прибора к группе по максимально возможному напряжению в нагрузке (до 100 В).

В 2004 году ON Semiconductor, следуя новым экологическим нормам, выпустила усовершенствованный tip41CG. Символ «G» указывает на отсутствие в устройстве свинца и соответствие его европейской директиве, ограничивающей содержание вредных веществ в радиоэлементах (Restriction of Hazardous Substances).

Аналоги и комплементарная пара

Для TIP41C замену или аналог достаточно сложно подобрать. Наиболее подходящими для него являются: 2SC2334, 2SD525, 2SD1059, BD711, BD911, BDT41C, MJE5180. Близкими по параметрам будут такие отечественные транзисторы как: КТ819Г и КТ8212А. В качестве комплементарной пары, в даташит многих производителей указан TIP42C.

Производители

Нажав по ссылке с именем производителя, можно скачать datasheet на tip41c, которых чаще всего встречается на прилавках российских магазинов: ON Semiconductor, Fairchild, STMicroelectronics и Inchange Semiconductor. Это полупроводниковый триод, изобретенный в 60-х года прошлого века компанией Texas Instruments, продолжают выпускать: KEC (Korea Electronics), Micro Commercial Components, Weitron Technology, Tiger Electronic, Thinki Semiconductor, Unisonic Technologies, Power Innovations, Boca Semiconductor Corporation, Wing Shing Computer Components, Dc Components, SemiHow, Inchange Semiconductor Company Limited, New Jersey Semi-Conductor Products, Guangdong Kexin Industrial, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH и другие.

Источник

Транзистор TIP41C

Цоколевка

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозна чение	Параметр	Модификация	Величина	Ед. изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база	TIP41A	60	В
		TIP41B	80
		TIP41C	100
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	TIP41A	60	В
		TIP41B	80
		TIP41C	100
VEBO	Напряжение эмиттер-база	5	В
IC	Ток коллектора (пост.)	6	A
ICP	Ток коллектора (имп.)	10	A
IB	Ток базы	2	A
TJ	Температура кристалла	150	°C
TSTG	Безопасный температурный диапазон	от-65 до 150	°C

Максимальные тепловые характеристики

Обозна чние	Параметр	Величина	Ед. изм.
PC	Мощность рассеяния (ТК = 25°C)	65	Вт
	Мощность рассеяния (TА = 25°C)	2

Электрические характеристики

Значения в таблице для температуры 25°C.

Обозна чение	Параметр		Условия	Мин	Макс	Ед. изм.
VCEO (sus)	Рабочее напряжение коллектор-эмиттер (1)	TIP41A	IC = 30 мА, IB = 0	60	В
		TIP41B		80
		TIP41C		100
ICEO	Ток отсечки коллектора	TIP41A	VCE = 30 В, IB = 0	0.7	мA
		TIP41B /TIP41C	VCE = 60 В, IB = 0	0.7
ICES	Ток отсечки коллектора	TIP41A	VCE = 60 В, VEB = 0	400	мкA
		TIP41B	VCE = 80 В, VEB = 0	400
		TIP41C	VCE = 100 В, VEB = 0	400
IEBO	Ток отсечки эмиттера		VEB = 5 В, IC = 0	1	мA
hFE	Коэффициент усиления по постоянному току (1)		VCE = 4 В, IC = 0.3 A	30
VCE = 4 В, IC = 3 A			15	75
VCE(нас)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (1)		IC = 6 A, IB = 600 мA	1.5	В
VBE(on)	Напряжение база-эмиттер (1)		VCE = 4 В, IC = 6 A	2	В
fT	Граничная частота единичного усиления		VCE = 10 В, IC = 500 мA, f = 1 МГц	3	МГц

Примечание: Параметры импульса: pw ≤ 300 μs, скважность ≤ 2%.

Комплементарная пара

TIP41C с транзистором TIP42 образуют комплементарную пару.

Аналоги

Первая позиция в таблице – транзистор TIP41C, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
TIP41C	100	6	65	15
Отечественное производство
КТ819Г	100	10	60	12	3
Импорт
КТ8212А	100	6	65	15	3
2SC2334	100	7	40	40	20
2SD525	100	5	40	40	12
2SD1059	85	6	40	60	15
BD711	100	12	75	15	3
BD911	100	15	90	15	3
BDT41C	140	6	65	15	3
MJE5180	120	6	65	15	1

Типовые эксплуатационные данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (мВ) и напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

Рис.3 Области безопасной работы в статическом и динамическом режимах с изменяющейся длительностью импульса тока коллектора.

Рис.4 Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса.

Примечание: по технической документации ON Semiconductor, 2017.

Источник

Характеристики транзистора TIP41C

Отечественный аналог TIP41C

Особенности

Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C

Характеристики транзистора TIP41C

Предельные параметры TIP41C

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CP):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (I_B):

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

Электрические характеристики транзисторов TIP41C (Т_C=25 o С если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току(h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V_CE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (I_C) 3 A:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (I_CEO) (I_B = 0)

Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (I_CES) (V_EB = 0)

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

Источник