Электроника и электронный инструмент. Справочник параметров транзисторов.

Юмор:
Папуас папуасу друг, товарищ и корм.

Основные параметры транзистора 2SA114 биполярного низкочастотного pnp.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
50mW	34V	—	6V	10mA	85°C	10MHz	12	40T

Производитель: FUJITSU
Сфера применения: RF, Low Power, General Purpose
Популярность: 4955
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SA114

Общий вид транзистора 2SA114.	Цоколевка транзистора 2SA114.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SA114.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Транзистор а114 параметры цоколевка

Наименование производителя: DTA114EUA

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

DTA114EUA Datasheet (PDF)

DDTA (R1 = R2 SERIES) UA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B CB 1.15 1.35 «Green» Device, Note 3 and 4 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 N

MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth DTA114EUAMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Moisure Sensitivity Level 1Digital Transistors Built-i

Источник

Транзистор а114 параметры цоколевка

Технические данные (datasheet)

Транзистор U_КЭ0 /
U_{КБ0 ПРОБ}
В I_{К, МАКС}
мА P_{К, МАКС}
мВт h_21Э f_гр
МГц Изготовитель мин. макс. I_К
мА U_КЭ
В Название (полное) Название (сокращённое) AF114 15/20 10 60 50 1,5 12 75 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt Swampscott Electronics Со Inc Swampscott Space Power Electronics Inc Space Power

Цоколёвка

Тип Номера выводов 1 2 3 4 4 вывода E B Case C

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Источник

Транзистор а114 параметры цоколевка

Наименование производителя: DTA114ESA

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

DTA114ESA Datasheet (PDF)

DT A114EE/DTA114EUA/DTA114EKA /DTA114ESA/DTA114ECA Digital transistors (PNP)FEATURES 1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuitwithout connecting external input resistors(see equivalent circuit). 2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolationto allow positive biasing of the input.They also have the advantage ofalmost co

0.3. dta114esa.pdf Size:1199K _kexin

DIP Type TransistorsDigital TransistorsDTA114ESA (KDTA114ESA)TO-92SUnit:mm4.00.12.480.245 TYP Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit0.48 (max)0.35 (min ) without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete21 30.55 (max) isol

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора DTC114EE.

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора DTC114EE

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
150	0	50	100	—	250000000	—	35

Производитель: ROHM
Сфера применения:
Популярность: 924
Дополнительные параметры транзистора DTC114EE: Корпус: SOT-416.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора DTC114EE

Общий вид транзистора DTC114EE.	Цоколевка транзистора DTC114EE.

Дата создания страницы: 2016-01-29 13:47:48.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора DTC114EE.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник