Характеристики транзистора MJE13009
Как пишут производители в технических характеристиках на биполярный транзистор MJE13009, но разрабатывался для установки в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных схемах в качестве переключателя нагрузки. Они подходят для импульсных инверторов и устройств управления электрическими двигателями.
Цоколевка
Наибольшее распространение получил транзистор MJE13009 в корпусе ТО-220, но иногда используется упаковка ТО-3PN. В обеих случаях выводы расположены в следующем порядке: база, коллектор, эмиттер. Иногда при нанесении маркировки первые три буквы упускают и нанося только цифры 13009, цоколевка и внешний вид представлен на следующем рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение характеристик транзистора начнём с предельно допустимых параметров. Они показывают максимальные возможности MJE13009. Их измерение производилось при стандартной температуре – +25°С.
После максимальных, перейдём к рассмотрению электрических характеристик. От них также зависят возможности транзистора, снимаются они при температуре +25°C. Остальные параметры можно посмотреть в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора MJE13009 (при Т = +25 о C) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута | IC = 10 мA, IB = 0 | VCEO(sus) | 400 | В | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VBE = 1,5 В | ICEV | 1 | мА | ||
| VBE = 1,5 В, TC = 100°C | 5 | |||||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 2 В, IC= 0.5 A VCE = 2 В, IC = 1 A | hFE1 30 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IB = 1 А, IC = 5 A IB= 1,6 B, IC=8 A Tc=100℃ | VСE(sat) | 1 В | |||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | IB = 1 А, IC = 5 A IB=1,6 B, IC=8 A, Tc=100℃ | VСE(sat) | 1,2 В | |||
| Время задержки | IC = 8 A, VCC = 125 В | td | 0,06 | 0,1 | мкс | |
| Время нарастания | tr | 0,45 | 1 | мкс | ||
| Время закрытия | tf | 0,2 | 0,7 | мкс | ||
| Время рассасывания | tS | 1,3 | 3 | мкс | ||
| Выходная емкость | VCB=10В, IE=0, f= 0,1 МГц | Cob | 180 | пФ | ||
Аналоги
Полных аналогов для транзистора 13009 нет. Но при необходимости можно заменить на следующие устройства:
Существуют также отечественные приборы с похожими параметрам:
Перед тем, как выбрать замену, нужно посмотреть технические характеристики.
Производители
Перечислим крупнейшие фирмы, занимающиеся выпуском MJE13009 и приведём их datasheet:
В России можно купить транзисторы, изготовленные следующими компаниями:
Транзистор 13009 (MJE13009)
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.
Распиновка
Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:
Технические характеристики транзистора MJE13009
При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:
напряжение насыщения между коллектором и эмиттером UКЭ нас. (VBE sat):
напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас. (VBE sat):
Символ Rθ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.
коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.
Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.
Комплементарная пара
Комплементарная пара отсутствует.
Маркировка
Замена и эквиваленты
Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.
Особенности
13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.
Безопасность при эксплуатации
Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (UКЭ) должно быть не более 400 В, при IК = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (UКЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (UБЭ) не должно быть больше 700 В.
Производители
Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:
13005А транзистор параметры советский аналог
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
Цоколевка
Так выглядит распиновка 13001-SOT-23 (производитель YFWDIODE)
Параметры
Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:
электрические (для устройства в корпусе ТО-92):
электрические (для устройств в корпусе SOT-23):
Комплементарная пара
Комплементарный аналог у 13001 отсутствует.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Замена и аналоги
В качестве замены подойдут более мощные транзисторы серии 13000: 13002, 13003, 13005, 13007, 13009, MJE13002, MJE13003, MJE13005. При этом придется учесть немного большие размеры корпусов и распиновку, которая тоже может отличаться. Российский аналог 13001 являются транзистор КТ538А, и очень похожий по параметрам, но в другом корпусе транзистор КТ8270А.
Использование
Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.
Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.
Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.
Безопасность в использовании
Не допускайте повышения напряжения в цепи К-Э более 500 В и коллекторного тока более 200 мА. Подберите подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня. Не допускайте перегрева более +150 °С. Пайка выводов допускается не ближе 5 миллиметров от корпуса устройства, не более 2-3 секунд на каждый электрод. Предельная температура пайки не должна быть больше +250 °С.
Производители
DGNJDZ (Nanjing International Group);
Semtech Electronics Ltd.;
YFWDIODE (Dongguan you feng wei electronics).
Транзисторы MJE13005(13005)
Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, мощные высоковольтные переключающие. Используются в импульсных преобразователях напряжения(электронных трансформаторах), приводах и регуляторах. Выпускаются в корпусе TO-220 Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13005(13005).
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у MJE13005 может быть от 10 до 60.
Граничная частота передачи тока — 4МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.
Максимальный ток коллектора постоянный — 4 А, переменный — 8 А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 1 А — 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,5А — 1,6в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 75 Вт на радиаторе, 2 Вт — без.
Транзисторы MJE13009(13009)
Транзисторы MJE13009(13009) кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные,структуры n-p-n, Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13009(13009).
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.
Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.
Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |






















