45no3lt транзистор характеристики php

Наименование прибора: PHP45N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 260 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

PHP45N03LT Datasheet (PDF)

0.1. php45n03lt.pdf Size:295K _philips

PHP45N03LT; PHB45N03LT;PHD45N03LTN-channel TrenchMOS transistorRev. 06 05 October 2000 Product specification1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low on-state resistance

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

PHP/PHB/PHD45N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 02 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).2. Features Low on-state resistance

Источник

45no3lt транзистор характеристики php

Наименование прибора: PHB45N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT404

PHB45N03LT Datasheet (PDF)

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB45N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance Surface

Источник

45no3lt транзистор характеристики php

Наименование прибора: PHP45N03LTA

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 60 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

PHP45N03LTA Datasheet (PDF)

4.1. php45n03lt.pdf Size:295K _philips

Источник

45no3lt транзистор характеристики php

Наименование прибора: P45N03LTFG

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 25 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

P45N03LTFG Datasheet (PDF)

P45N03LTFGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V25V 36ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 25VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C36IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C22AIDM140Pulsed Drain Curr

6.1. php45n03lt.pdf Size:295K _philips

SMDTypee IorDIP Type Tra n s is tICsSMD TypeSMD TypeSMDType CTypSMDDIP Type ICProduct specificationKHP45N03LTTO220FeaturesLow on-state resistanceFast switching.1Gate2Drain3SourceAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage VGS 15Drain current (DC) ID 45 APower Dissipation PD 86 Wtherma

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора PHP45N03LT.

Высказывания:
Ни один победитель не верит в случайность.

Основные параметры полевого n-канального транзистора PHP45N03LT

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВт	Uds max, В	Udg max, В	Ugs max, В	Id max, мА	Tj max, °C	Fr (T on/of)	Ciss tip, пФ	Rds, Ом
65000	25	—	2	40000	—	—	700	0,021

Производитель: Philips
Сфера применения:
Популярность: 1281
Дополнительные параметры транзистора PHP45N03LT: Корпус: TO-220; Rth: 0°C; Qg: 19нКл;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора PHP45N03LT

Общий вид транзистора PHP45N03LT.	Цоколевка транзистора PHP45N03LT.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора PHP45N03LT.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник