d2118 транзистор параметры и распиновка

D2118 транзистор параметры и распиновка

Наименование производителя: 2SD2118

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

2SD2118 Datasheet (PDF)

0.2. 2sd2118.pdf Size:70K _secos

2SD2118(NPN) TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 FeaturesLow VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.)(IC/IB = 4A / 0.1A) Excellent DC current gain characteristics. TO-252-2LMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base

0.4. 2sd2118.pdf Size:227K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD2118DESCRIPTIONHigh current capacitySmall and slim package making it easy to make 2SD2118-used set smallerLow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSStrobes,voltage regu

Источник

D2118 транзистор параметры и распиновка

Технические данные (datasheet)

Транзистор U_КЭ0 /
U_{КБ0 ПРОБ}
В I_{К, МАКС}
мА P_{К, МАКС}
мВт h_21Э f_гр
МГц Изготовитель мин. макс. I_К
мА U_КЭ
В Название (полное) Название (сокращённое) 2SD2118F5Q 20/50 5000 1000 120 270 500 2 150 Rohm Со Ltd Rohm Со Ltd

Цоколёвка

Тип Номера выводов 1 2 3 4 4 вывода B C E C

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

Источник

DatasheetCafe

Semiconductor Pinout Informations

D2118 Transistor – NPN, Datasheet (2SD2118)

Part Number : D2118, 2SD2118

Function : Silicon NPN Transistor

1 page

2 page

Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 2SD2118 zFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1412. zDimensions (Unit : mm) 2SD2118 zStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor ROHM : CPT3 EIAJ : SC-63 zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Collector-base voltage VCBO 50 Collector-emitter voltage VCEO 20 Emitter-base voltage VEBO 6 Collector current IC 5 ICP 10 Collector power dissipation 2SD2118 Junction temperature PC Tj 1 10 150 Storage temperature Tstg −55 to +150 ∗1 Single pulse Pw=10ms Unit V V V A(DC) A(Pulse) ∗1 W W(Tc=25°C) °C °C ∗ Denotes hFE (1) Base (2) Collector (3) Emitter zElectrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Min. Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff current Collector-emitter saturation voltage DC current transfer ratio Transition frequency Output capacitance ∗ Measured using pulse current. BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE fT Cob 50 20 6 − − − 120 − − Typ. − − − − − 0.3 − 150 35 Max. − − − 0.5 0.5 1.0 390 − − Unit V V V µA µA V − MHz pF Conditions IC=50µA IC=1mA IE=50µA VCB=40V VEB=5V IC/IB=4A/0.1A ∗ VCE=2V, IC=0.5A ∗ VCE=6V, IE=−50mA, f=100MHz VCE=20V, IE=0A, f=1MHz www.rohm.com ○c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 2009.11 – Rev.C 2SD2118 zPackaging specifications and hFE Type 2SD2118 Package Taping Code TL hFE Basic ordering unit (pieces) 2500 QR hFE values are classified as follows : Item Q R hFE 120 to 270 180 to 390 zElectrical characteristic curves 10 5 VCE=2V COLLECTOR CURRENT : IC (A) 2 Ta=100°C 1 25°C −25°C 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 5m 2m 1m 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V) Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics DC CURRENT GAIN : hFE 5000 2000 1000 500 Ta=100°C 25°C −25°C VCE=1V 200 100 50 20 10 5 1m 2m 5m 0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2 5 10 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.4 DC current gain vs. collector current ( ΙΙ ) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V) 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 lC/lB=10 Ta=100°C 25°C −25°C 0.02 0.01 2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.7 Collector-emitter saturation voltage vs. collector current ( ΙΙ ) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V) DC CURRENT GAIN : hFE COLLECTOR CURRENT : IC (A) 5 50mA 45mA 4 3 30mA Ta=25°C 25mA 20mA 15mA 40mA 35mA 10mA 2 5mA 1 0 IB=0mA 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) Fig.2 Grounded emitter output characteristics 5000 2000 1000 500 Ta=100°C 25°C −25°C VCE=2V 200 100 50 20 10 5 1m 2m 5m0.010.02 0.050.10.2 0.5 1 2 5 10 COLLECTOR CURRENT : IC (A) Fig.5 DC current gain vs. collector current ( ΙΙΙ ) 2 1 0.5 0.2 0. […]

3 page

Источник

Характеристики транзистора D2499 (2SD2499): аналоги и datasheet

Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.

Распиновка

Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:

Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.

Приведём их ниже:

Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25 О С. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Обратный ток, текущий через коллектор	VCВ= 1500В, IЕ = 0	ICВO	1	мА
Обратный ток, текущий через эмиттер	VEB = 5В, IC = 0	IEBO	67	200	мА
Пробивное напряжение между эмиттером и базой	IE= 400 мA, IC= 0	VEBO	5	В
Статический к-т передачи тока	VCE=5 В,IC= 1 A 9
Напряжение насыщения перехода К-Э	IC= 4 A, IB = 0,8 A	V CE(sat)	5	В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IC= 4 A, IB = 0,8 A	V ВE(sat)	1,05	1,3	В
Прямое напряжение на демпферном диоде	IF= 6 A	VF	1,6	2,0	В
Ёмкость коллекторного перехода	VCB=10V,f=1.0MHz, Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 О С, +25 О С, +100 О С). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать. Аналоги Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене. Производители Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components. Источник Транзистор 13001 13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23. Корпус и цоколевка Предназначение Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения. Характерные особенности Предельные эксплуатационные характеристики Характеристика Обозначение Величина Напряжение коллектор – база транзистора, В UCBO 600 Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В UCEO 400 Напряжение эмиттер – база транзистора, В UEBO 6 Ток коллектора постоянный, А IC 0,3 Ток коллектора импульсный, А ICP 0,6 Ток базы постоянный, А IB 0,04 Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт PC 1 Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт PC 10 Предельная температура полупроводниковой структуры, °С Tj 150 Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg -55…+150 Электрические параметры Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения Напряжение коллектор-база, В UCBO IC = 100 мкА 600 Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO IC = 10 мА 400 Напряжение эмиттер-база, В UEBO IE = 10 мкА 6 Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 550 В 10 Ток коллектора выключения, мА ICEO UCB = 400 В 10 Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 6,0 В 10 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)1 ٭ IC = 50 мА, IB = 10 мА 0,4 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)2 ٭ IC = 100 мА, IB = 20 мА 0,75 Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭ IC = 50 мА, IB = 10 мА 1 Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 10 мА ≥ 8 hFE (2) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 50 мА 10…36 ٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C. Модификации и группы Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Группы по hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус 13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 — 13001-2 0,8 700 400 9 0,45 150 — 0,7 / 2,0 / 0,6 13001-A 0,8 600 400 9 0,5 150 — 0,7 / 2,5 / 0,6 3DD13001 0,75 600 400 7 0,2 150 Группы A/B — / 1,5 / 0,3 3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 — 0,8 / 1 / 1 3DD13001P 0,6 600 400 9 0,17 150 — 1 / 3 / 1 3DD13001P1 0,6 600 400 9 0,2 150 — 1 / 3 / 1 3DD13001A1 0,8 600 400 9 0,25 150 — 1 / 3 / 1 ALJ13001 1 600 400 7 0,2 150 10 групп без обозначения — / 1,5 / 0,3 CD13001 0,9 500 400 9 0,5 150 — — 6 групп A/B/C/…/F — / 1,5 / 0,3 CS13001 0,75 700 480 9 0,2 150 — 4 группы без обозначения — HMJE13001 1 600 400 6 0,3 150 — — — MJ13001A 0,625 500 400 8 0,5 150 — — MJE13001 0,75 600 400 7 0,2 150 12 групп A/B/C…/L — TO-92, SOT-89 MJE13001A1 0,8 600 400 9 0,17 150 — — / 3 / 1,2 MJE13001A2 0,8 600 400 9 0,17 150 — — / 3 / 1,2 MJE13001AH 1 700 480 9 0,3 150 — — — / 2 / 0,8 MJE13001B1 1 600 400 9 0,2 150 — — / 3 / 0,6 MJE13001C1 1 600 400 9 0,25 150 — — / 3 / 0,6 MJE13001C2 1 600 400 9 0,25 150 — — / 3 / 0,6 MJE13001DE1 1 600 400 9 0,5 150 — — / 3 / 0,8 MJE13001E1 1 600 400 9 0,45 150 — — / 3 / 0,6 MJE13001E2 1 600 400 9 0,45 150 — / 3 / 0,6 MJE13001H 1 700 480 9 0,18 150 — — — MJE13001P 0,75 600 400 7 0,2 150 12 групп A/B/C…/L — / 1,5 / 0,3 SBN13001 0,6 600 400 9 0.5 150 — — — / 2 / 0,8 SXW13001 9 600 400 — 0.5 — — — — SXW13001 10 600 400 — 0.5 — — — — XW13001 7 600 400 — 0,25 — — — — Исполнение SMD MJD13001 0,3 700 400 8 0,2 150 10…40 6 групп A/B/C/…/F — / 2,4 / 0,9 MJE13001A0 0,5 600 400 9 0,17 150 10…40 — — / 3 / 1,2 MJE13001AT 0,8 600 400 9 0,17 150 10…40 — — / 3 / 1,2 MJE13001C0 0,65 600 400 9 0,25 150 10…40 — — / 3 / 0,6 MJE13001CT 1 600 400 9 0,25 150 10…40 — — / 3 / 0,6 Аналоги Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах. Отечественное производство Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус 13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 5 TO-92 КТ538А 0,7 600 400 9 0,5 125 4 5 — TO-92 2Т506А/Б 0,8 5 2 150 17 30 TO-39 КТ8270А 7 600 400 9 0,5 125 4 10 — Зарубежное производство Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус 13001-0 0,8 600 400 9 0,5 150 5 TO-92 3DD6012A1 0,8 900 500 9 1,5 150 5 5 1 / 2 /1,5 TO-92 BU103AH 0,8 900 600 9 1,6 150 5 15 1 / 3 / 0,8 TO-92 BU103DH 0,8 800 500 9 1,6 150 5 20 1 / 3,5 / 0,8 TO-92 BUJ100 2 700 700 — 1 150 — 14 0,88 / 1,2 / 0,3 TO-92 CS13002 9,9 700 480 9 1 150 — 8 — TO-92 CS13003 0,9 700 480 9 1,5 150 — 8 — TO-92 KSB13003H 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92 KSB13003HR 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92 KTC3003HV 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 3 / 0,7 TO-92 MJE13002AHT 1,2 850 500 9 1,5 150 — 20 — MJE13003HT 1,3 850 500 9 2 150 — 20 — TO-92 MJE13003J1 1 900 550 9 1,5 150 5 10 — / 6 / 1,2 TO-92 MJE13003J1G 1 900 550 9 1,5 150 5 10 — TO-92 MJE13003L1 1 900 530 9 1,5 150 5 10 — / 5 / 1,2 TO-92 STD5915 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92 STX616 2,8 980 500 12 1,5 150 — 25 0,2 / 5 / 0,65 TO-92 Графические иллюстрации характеристик Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5. Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения UBE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5. Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания PC при увеличении температуры внешней среды Ta. Рис. 5. Область безопасной работы транзистора. Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с. Источник Читайте также:  прошивка мозгов автомобиля в минске Вам также может понравиться что необходимо для регистрации мотоцикла в гибдд Мне подарили мотоцикл без документов. Как поставить что необходимо для регистрации лодки в гимс Документы, предъявляемые к регистрации маломерного что необходимо для регистрации квартиры Что необходимо для регистрации квартиры Введите то что необходимо для регистрации иностранного гражданина по месту пребывания Алгоритм действий при постановки на миграционный учет Политика конфиденциальности Правообладателям Контакты