Таблица параметров полевых транзисторов irf
Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок
N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
Корпуса для поверхностного монтажа
20-25 В
20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30 В
30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23
30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
40 В
40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23
60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23
60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
100 В
100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30 В
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20 – 25 В
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30 В
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40 В
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100 В
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150 В
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200 В
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 56A, 7.7 mOhm, 11 nC Qg, Med Can
30V, 58A, 7.3 mOhm, 11 nC Qg, Small Can
30V, 60A, 7.3 mOhm, 11.7 nC Qg, Small Can
30V, 140A, 2.5 mOhm, 28 nC Qg, Med Can
30V, 150A, 2.5 mOhm, 33 nC Qg, Med Can
30V, 170A, 2.2 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 51 nC Qg, Med Can
30V, 180A, 1.7 mOhm, 49 nC Qg, Med Can
30V, 190A, 1.8 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40 В
40V, 55A, 8.3 mOhm, 19 nC Qg, Small Can
40V, 106A, 5.0 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
40V, 150A, 3.4 mOhm, 42 nC Qg, Med Can
40V, 270A, 1.0 mOhm, 220 nC Qg, Large Can
60V, 67A, 11.2 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
60V, 86A, 7.0 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
60V, 108A, 1.3mohms, 220nC, Large Can
80V, 55A, 15 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
80V, 68A, 9.5 mOhm, 36 nC Qg, Med Can
75V, 83.8, 2.2 mohms, 220nC, Large Can
100 В
100V, 19A, 62 mOhm, 8.7 nC Qg, Small Can
100V, 14.7A, 60 mOhm, 8.3 nC Qg, Small Can
100V, 25A, 35 mOhm, 14 nC Qg, Small Can
100V, 47A, 22 mOhm, 22 nC Qg, Med Can
100V, 60A, 13 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
100V, 124A, 3.5 mOhm, 200 nC Qg, Large Can
150 В
150V, 28A, 47 mOhm, 25 nC Qg, Med Can
150V, 35A, 35 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
150V, 67A, 11 mOhm, 97 nC Qg, Large Can
200 В
200V, 15A, 100 mOhm, 26 nC Qg, Med Can
200V, 26A, 60 mOhm, 34 nC Qg, Med Can
250 В
250 В, 35A, 38 mOhm, 110 nC Qg, Large Can
20V—25V
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, D-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, D-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, D-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, D-Pak
20V, 42A, 4.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, D-PAK
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, D-PAK
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, D-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, D-PAK
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, D-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, D-PAK
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, D-Pak
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, D-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, D-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, D-Pak
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, D-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, D-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D-Pak
100V
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, D-Pak
100V, 35A, 28.5 mOhm, 39 nC Qg, D-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, D-Pak
150V
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D-Pak
200V
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, D-Pak
20- 25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak
24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin
30 В
30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak
30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak
40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin
40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak
60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin
100 В
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak
100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak
100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak 7-pin
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak
150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak
150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak 7-pin
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak
200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak
200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak
200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak
250 В
250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak
Корпуса для монтажа в отверстие
20
—
25 В
20V, 37A, 15 mOhm, 4.7 nC Qg, I-Pak
20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, I-Pak
20V, 60A, 8.4 mOhm, 9.3 nC Qg, I-Pak
20V, 93A, 5.7 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
20V, 120A, 4.2 mOhm, 21 nC Qg, I-Pak
25V, 81A, 5.7 mOhm, 10 nC Qg, I-pak
25V, 57A, 8.7 mOhm, 6.8 nC Qg, I-pak
30 В
30V, 43A, 13.8 mOhm, 7 nC Qg, I-Pak
30V, 71A, 8.6 mOhm, 10 nC Qg, I-Pak
30V, 65A, 8.4 mOhm, 8.5 nC Qg, I-Pak
30V, 85A, 6.0 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
30V, 94A, 6 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
30V, 160A, 3.1 mOhm, 39 nC Qg, I-Pak
40 В
40V, 77A, 9 mOhm, 30 nC Qg, I-Pak
40V, 119A, 5.5 mOhm, 59 nC Qg, I-Pak
55-60 В
55V, 30A, 24.5 mOhm, 18 nC Qg, I-Pak
60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, I-Pak
55V, 62A, 11 mOhm, 40 nC Qg, I-Pak
60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
75 В
75V, 45A, 22 mOhm, 34 nC Qg, I-Pak
75V, 53A, 16 mOhm, 50 nC Qg, I-Pak
75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, I-Pak
100 В
100V, 8.7A, 190 mOhm, 6.9 nC Qg, I-Pak
100V, 56A, 18 mOhm, 69 nC Qg, I-Pak
150 В
150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, I-Pak
200 В
200V, 24A, 78 mOhm, 25 nC Qg, I-Pak
20
—
25 В
20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, TO-220AB
20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, TO-220AB
20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, TO-220AB
20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, TO-220AB
24V, 353A, 1.5 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30 В
30V, 50A, 9 mOhm, 8 nC Qg, TO-220AB
30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, TO-220AB
30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, TO-220AB
30V, 78A, 4.8 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
30V, 150A, 3.2 mOhm, 36 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
30V, 260A, 1.95 mOhm, 57 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, TO-220AB
40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, TO-220AB
40V, 270A, 2.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55-60 В
60V, 43A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, TO-220AB
55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, TO-220AB
55V, 61A, 11 mOhm, 43 nC Qg, TO-220AB
60V, 79A, 8.4 mOhm, 46 nC Qg, TO-220AB
55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, TO-220AB
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-220AB
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, TO-220AB
75 В
75V, 80A, 9.0 mOhm, 56 nC Qg, TO-220AB
75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, TO-220AB
75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
100 В
100V, 18A, 72.5 mOhm, 15 nC Qg, TO-220AB
100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, TO-220AB
100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-220AB
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
100V, 180A, 4.5 mOhm, 150 nC Qg, TO-220AB
150 В
150V, 17A, 95 mOhm, 13 nC Qg, TO-220AB
150V, 35A, 39 mOhm, 26 nC Qg, TO-220AB
150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, TO-220AB
150V, 104A, 11 mOhm, 77 nC Qg, TO-220AB
200 В
200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, TO-220AB
200V, 25A, 72.5 mOhm, 25 nC Qg, TO-220AB
200V, 65A, 24 mOhm, 70 nC Qg, TO-220AB
200V, 76A, 20 mOhm, 100 nC, TO-220AB
250 В
250V, 46A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-220AB
250V, 60A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-220AB
40 В
40V, 350A, 1.7 mOhm, 220 nC Qg, TO-247AC
55-60 В
60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, TO-247AC
60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В
75V, 170A, 4.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
75V, 210A, 3.3 mOhm, 160 nC Qg, TO-247AC
75V, 350A, 1.85 mOhm, 380 nC Qg, TO-247AC
100 В
100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, TO-247AC
100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
100V, 168A, 4.6 mOhm, 152 nC Qg, TO-247AC
100V, 290A, 2.6 mOhm, 360 nC Qg, TO-247AC
150 В
150V, 78A, 15.5 mOhm, 71 nC Qg, TO-247AC
150V, 171A, 5.9 mOhm, 151 nC Qg, TO-247AC
200 В
200V, 65A, 25 mOhm, 70 nC Qg, TO-247AC
200V, 130A, 9.7 mOhm, 161 nC Qg, TO-247AC
250 В
250V, 44A, 46 mOhm, 72 nC Qg, TO-247AC
250V, 57A, 33 mOhm, 99 nC Qg, TO-247AC
250V, 93A, 17.5 mOhm, 180 nC Qg, TO-247AC
N-канальные транзисторы 40-100В с логическим управлением
40 В
40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
60V, 100A, 4.4 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
100 В
100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN 5×6, Logic Level
40 В
40V, 130A, 4.9 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 16A, 58 mOhm, 6.6 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 60A, 13.5 mOhm, 23 nC Qg, Logic Level, D-Pak
55V, 89A, 8 mOhm, 44 nC Qg, Logic Level, D-Pak
60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100 В
100V, 11A, 185 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 15A, 105 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D-Pak
100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 291A, 1.62 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40V, 347A, 1.24 mOhm, 130 nC Qg, Logic Level, D2-Pak 7-pin
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
60V, 270A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
60V, 300A, 1.9 mOhm, 110 nC Qg, Logic Level, D2-Pak-7
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 55A, 26 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
100V, 190A, 3.9 mOhm,93 nC Qg, Logic Level, D2-PAK-7
40 В
40V, 104A, 8 mOhm, 45.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 200A, 3.1 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 343A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40V, 327A, 1.7 mOhm, 108 nC Qg, Logic Level, TO-247AC
55V, 18A, 60 mOhm, 10 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 51A, 13.5 mOhm, 24 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
60V, 370A, 2.4 mOhm, 91 nC Qg, Logic Level, TO220
100 В
100V, 10A, 180 mOhm, 13.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 17A, 100 mOhm, 22.7 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 36A, 44 mOhm, 49.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 48A, 260 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, TO-220
N-канальные MOSFET транзисторы двухканальные
-30 В
30 В
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.7A
двухканальный N-транзистор, 30В, 9.1A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.9A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.0A
двухканальный N-транзистор, 30В, 7.6A
двухканальный N-транзистор, 30В, 8.1A, 2.5В drive capable
60 В
двухканальный N-транзистор, 60В, 8.0A
-30 В
DUAL N-CHANNEL, 20V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN2x2
DUAL N-CHANNEL, 30V, 3.4A, 2.5V drive capable, PQFN 2×2
30 В
DUAL N-CHANNEL, 30V, 10A, PQFN3x3
100 В
DUAL N-CHANNEL, 100V, 3.4A, PQFN3x3
30 В
30V POL control and syncrhonous, PQFN5x6
P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
-20 В
-30 В
-20 В
-30 В
-30 В
-30 В
Аудио MOSFET транзисторы класса D
MOSFET International Rectifier в малогабаритных корпусах
Компания International Rectifier (IR) уделяет особое внимание развитию технологий новых MOSFET, характеризующихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии и улучшенными динамическими параметрами. Постоянное совершенствование технологии производства кристаллов и их корпусирования позволяет продукции IR отвечать современным требованиям эффективности, энергопотребления и соответствовать жестким условиям эксплуатации при конкурентных ценах. В статье рассмотрены транзисторы новых поколений в малогабаритных корпусах SOT-23, SO-8 и PQFN.
Развитие технологий производства MOSFET направлено на постоянный рост удельной мощности кристалла при уменьшении сопротивления канала в открытом состоянии, или, если более точно, задача состоит в снижении комплексного показателя потерь, который учитывает суммарные потери на переключение и проводимость. Чаще всего MOSFET применяются в качестве ключа с высокой частотой переключения. В этих схемах силовой транзистор должен выполнять противоречивые требования. С одной стороны, необходимо минимальное сопротивление канала Rds(on). С другой стороны, MOSFET должен иметь минимальное значение суммарного заряда затвора, который определяет скорость переключения силового ключа. Развитие технологий новых поколений полевых транзисторов позволяет ослабить противоречия между статическими и динамическими параметрами MOSFET.
Новые Р- и N-канальные MOSFET в стандартном корпусе SOT-23 имеют ультранизкое сопротивление открытого канала Rds(on) и предназначены для применения в переключателях зарядных устройств аккумуляторных батарей, коммутаторах нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и т.д. Новая линейка транзисторов перекрывает диапазон напряжений –30…100 В и имеет различные значения Rds(on) и заряда затвора (QG), что позволяет инженерам иметь более широкий выбор для разработки компактных, эффективных, в том числе и по цене, решений. Основные параметры этих транзисторов приведены в таблице 1.
Корпус
Uси (макс), В
Uзи (макс), В
Iстока при 25°С, А
R ds(on) при Uзи = 10 В, мОм
R ds(on) при Uзи = 4,5 В, мОм
QG*, нКл (тип.)
Макс.
Макс.
*QG — полный заряд затвора.
В таблице 2 для сравнения приведены параметры Rds(on) транзисторов с N-каналом транзисторов других производителей. IRLML030 заменяют с улучшением по параметру Rds(on) транзисторы PMV45EN (NXP), FDN359BN, FDN357N и NDS355AN (Fairchild), Si2306BDS и Si2304BDS (Vishay). Для оптимальной замены по параметрам и цене MGSF1N03LT1 (On Semiconductor), FDN361BN и NDS351AN можно использовать транзисторы MOSFET IRLML2030. Конечно, если транзисторы в схеме будут работать на высоких частотах переключения, то при замене необходимо обращать внимание на динамические параметры ключей (полный заряд затвора, паразитные емкости и время переключения).
Uзи макс., В
R ds(on) при Uзи = 10 В
R ds(on) при Uзи = 4,5 В
Производитель
R ds(on тип.
R ds(on) макс.
R ds(on) тип.
R ds(on) макс.
При расчете схемы к значениям Rds(on), указанным в документации, следует относиться очень внимательно. Производители обычно указывают этот параметр при температуре 25°С, но маловероятно, что кристалл ключевого транзистора при работе схемы останется при 25°С. На рисунке 1 показана нормированная зависимость сопротивления канала в открытом состоянии от температуры кристалла. Из этого графика видно, что Rds(on) увеличивается более чем на 50% при достижении максимально допустимой рабочей температуры, что необходимо учитывать при работе ключа в режимах, близких к предельным.
International Rectifier выпустила ряд новых MOSFET с одиночным и сдвоенным каналом Р-типа, которые выполнены в корпусе SO-8 и рассчитаны на напряжение сток – исток 30 В. Среди всех транзисторов в новом семействе (см. табл. 3) минимальное сопротивление открытого канала (всего 4,6 мОм при максимальном токе 20 А) имеет транзистор IRF9310PBF. Наилучшие динамические характеристики у транзистора IRF9335PBF — минимальное значение заряда затвора 4,7 нКл, при этом максимальный ток составляет 5,4 А. Новые Р-канальные MOSFET демонстрируют существенное улучшение значений тока по сравнению с транзисторами предыдущих поколений и предлагают разработчикам широкий выбор диапазонов значений Rds(on).
Корпус
Uси (макс), В
Uзи (макс), В
Iстока при 25°С, А
R ds(on) при Uзи = –10 В, мОм
R ds(on при Uзи = –4,5 В, мОм
QG* при Uзи = 4,5 В, нКл (тип.)
Макс.
Макс.
*QG — полный заряд затвора.
Быстрыми темпами начинают завоевывать российский рынок MOSFET в корпусе PQFN. Эффективность этих транзисторов выше, чем у транзисторов в других корпусах (за исключением DirectFET). Помимо более низкого активного сопротивления выводов корпус PQFN характеризуется улучшенными тепловыми характеристиками. Таким образом, можно существенно повысить плотность мощности или снизить температуру транзистора при его работе. Например, при использовании транзисторов в качестве синхронных выпрямителей можно существенно снизить температуру корпуса и повысить надежность схемы. Транзисторы предназначены для работы в схемах синхронного выпрямления, приложениях типа OR’ING (силовая схема «ИЛИ» для соединения источников питания) и многих других. Основные параметры силовых полевых транзисторов в корпусах PQFN сведены в таблицу 4.
Корпус
Uси (макс), В
Uзи (макс), В
Iстока при 25°С, А
R ds(on при Uзи = 10 В, мОм
R ds(on при Uзи = 4,5 В, мОм
QG*, нКл (тип.)
Макс.
Макс.
*QG — полный заряд затвора.
Переход от корпуса SO-8 к корпусу PQFN осуществляется достаточно просто. При этом разработчик может использовать ряд преимуществ корпуса PQFN:
– высота корпуса PQFN равна всего 0,9 мм, что вдвое меньше по сравнению с корпусом SO-8;
– выводы корпуса PQFN имеют более низкое активное сопротивление, благодаря чему, при прочих равных условиях, транзисторы, размещенные в этом корпусе, способны работать с более высоким током стока;
– корпус PQFN имеет улучшенные тепловые характеристики.
Последнее свойство позволяет повысить плотность мощности или уменьшить рабочую температуру транзистора (по данным производителя применение корпуса PQFN позволяет снизить температуру корпуса приблизительно на 30°С, когда транзистор используется в качестве синхронного выпрямителя, и приблизительно на 10°С, если транзистор используется в роли силового ШИМ-коммутатора). Дополнительным стимулом к использованию корпуса PQFN является его сравнительно невысокая стоимость.
Главным отличием силовых полевых транзисторов является возможность их размещения в корпусе PQFN меньшего типоразмера (3×3 мм), который при сохранении высоты на прежнем уровне (0,9 мм) позволяет уменьшить занимаемую на плате площадь на 70%.
Наиболее часто MOSFET применяются в качестве ключей, работающих на высоких частотах переключения. В этих случаях приходится внимательно рассматривать динамические параметры ключей, т.к. быстрое переключение мощных полевых транзисторов требует переноса заряда затвора за короткий промежуток времени. Динамические характеристики MOSFET зависят от емкостей транзистора, которые показаны на рисунке 2. Наибольшее влияние на скорость переключения полевого транзистора оказывает обратная передаточная емкость CRSS или емкость Миллера (неслучайно емкость CGD на рисунке 2 показана как переменная). При изменении напряжения на стоке, большая часть тока управления с выхода драйвера затвора течет именно в емкость Миллера, поэтому производители при разработке новых транзисторов в первую очередь уделяют внимание именно емкости CRSS. Обратите внимание, что емкость Миллера CGD входит также в состав входной и выходной емкостей.
Следует учитывать, что и сами емкости MOSFET во многом зависят от приложенного к ним напряжения. Рисунок 3 иллюстрирует типовые зависимости емкостей MOSFET при изменении напряжения сток — исток. Из него видно, что при уменьшении напряжения между стоком и истоком (т.е. при открывании транзистора) емкости затвор — исток и затвор – сток резко увеличиваются, что усложняет расчет временных характеристик ключевой схемы. Для корректного расчета динамических параметров ключевых схем на полевых транзисторах лучше всего использовать заряд затвора QG. Заряд затвора определяется как заряд, который необходимо приложить к затвору, чтобы добиться полного переключения транзистора. Заряд затвора имеет нелинейную зависимость от приложенного напряжения затвор – исток, что показано на рисунке 4.
Заряд QGS определяется входной емкостью (заряжается емкость затвор – исток). Почти горизонтальный участок графика характеризует заряд емкости затвор – сток (емкости Миллера). Второй подъем графика иллюстрирует заряд обеих емкостей, необходимый для переключения транзистора при конкретном напряжении и токе. Заряд QG на рисунке 4 определяет полный заряд затвора. Именно такой заряд необходимо передать на вход MOSFET, чтобы достигнуть полного открытого состояния полевого транзистора.
Меньшая входная емкость полевого транзистора не всегда означает, что этот транзистор имеет более высокое быстродействие по сравнению с тем, у которого входная емкость больше. Подтверждением этому является график на рисунке 5.
Красная линия графика соответствует зависимости заряда затвора транзистора 1 от напряжения затвор — исток. График синего цвета характеризует аналогичную зависимость для второго полевого транзистора. Транзистор 1 имеет более высокую входную емкость, т.к. наклон характеристики (из нулевой точки графика) у него меньше, чем у второго MOSFET. Напряжения затвор – исток QGS1 и QGS2 у обоих транзисторов примерно одинаковы, потому что транзистор 1 имеет более высокую проводимость и, следовательно, требует меньшего напряжения на затворе для конкретного значения тока запуска (QGS1 меньше QGS2). Из этого следует, что заряд Миллера, поступающий в затвор транзистора 1 меньше заряда Миллера, поступающего в затвор второго MOSFET. Другими словами, полный заряд затвора Q1, необходимый для переключения транзистора 1, оказывается меньше заряда Q2, требуемого для переключения второго MOSFET. Если бы сравнение этих транзисторов делалось только на основе величин входных емкостей, то был бы сделан неправильный вывод, что транзистор 2 лучше первого, что в данном примере неверно.
Другим очень важным параметром MOSFET является энергия переключения. Энергия переключения — это произведение заряда затвора на напряжение затвора. Энергия определяется площадью прямоугольника, угол которого находится в точке переключения (точка «А» для транзистора 1 и точка «В» для транзистора 2). На рисунке 5 хорошо видно, что энергия переключения первого транзистора гораздо меньше, чем у второго. Или другими словами, для переключения первого транзистора требуется драйвер с меньшим выходным током.
Учитывая рассмотренное выше сравнение, при выборе MOSFET, работающего на высоких частотах переключения, необходимо обязательно обращать внимание на энергию переключения. Конечно, сравнивать транзисторы необходимо при одинаковых условиях измерений.