Транзистор irf3205 параметры цоколевка

Транзистор irf3205 параметры цоколевка

Наименование прибора: IRF3205

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 98 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 146 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

IRF3205 Datasheet (PDF)

0.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

0.3. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

0.4. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

0.5. irf3205pbf.pdf Size:215K _international_rectifier

PD-94791BIRF3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievee

0.6. irf3205.pdf Size:92K _international_rectifier

PD-91279EIRF3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

0.7. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD-91279EIRF3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

0.9. irf3205pbf.pdf Size:215K _infineon

PD-94791BIRF3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievee

0.11. auirf3205.pdf Size:205K _infineon

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

RoHS IRF3205 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(110A, 55Volts)DESCRIPTION The Nell IRF3205 is a three-terminal silicon device with current conduction capabilityDDof 110A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 55V,and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed as an extremely efficient

0.16. irf3205.pdf Size:450K _first_silicon

SEMICONDUCTORIRF3205TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (55V/120A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Rating Unit 1.Gate

0.17. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

0.18. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

0.19. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

0.20. irf3205.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205IIRF3205FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

0.21. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Источник

Транзистор irf3205 параметры

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

23 thoughts on “ Транзистор irf3205 параметры ”

Pdf от IR на IRF3205 и на IRF3205Z.

По характеристикам сопротивление открытого канала Rси вкл. транзисторов IRF3205 и IRF3205Z равно соответственно 8 мОм и 6,5 мОм. Вероятно произошла опечатка, и необходимо исправить мегаомы на омы.

Прошу прощения, перепутал миллиомы мОм с мегаомами МОм. Наверное, чтобы таких ошибок не возникало, лучше написать характеристики прямо в омах.

Я когда впервые столкнулся с МДП транзисторами от IR, не верилось что настолько маленькое сопротивление канала. А сейчас если идет разговор о низковольтных мосфетах, то сразу подразумеваются милли Омы.
Оставил значение как в мОмах (так как лень нули считать), так и дополнил значением в Омах, чтобы избежать недоразумений.

Высоковольтные транзисторы изготовить сложнее, так как нужно обеспечить более высокое напряжение пробоя — например за счет увеличения размеров областей и/или чистоты материалов. А если длинна канала увеличивается то и сопротивление в открытом состоянии растет.
Высоковольтный транзистор спокойно будет работать на низком напряжении, т.е. 400В будет нормально коммутировать 50В, но вот сопротивление в открытом состоянии у него скорее всего будет значительно больше чем у специализированного низковольного. И соответсвенно потери и нагрев у низковольного будут ниже.
Ассортимент транзисторов формируется не по их качеству, а по востребованности: заложили какой-то транзистор в устройство 10 лет назад и так и выпускают по сей день, так как чтобы поставить пусть и более совершенные транзисторы нужно как минимум провести испытания, а может быть и перенастройку каких-то узлов схемы. Вот и получается что наряду с современными транзисторами выпускаемыми большими тиражами, продаются и устаревшие транзисторы за теже деньги. На цену очень сильно влияет тираж и часто более сложный в изготовлении но популярный транзистор стоит дешевле более простого.

Admin ответил красиво и грамотно — подписываюсь под каждым словом. Но, «почему» олександра о другом — под более низкими параметрами он почему-то понял лишь напряжение, забыв о токе. Так вот, у 400-вольтового IRF740, к примеру, ток всего 10 А, а не 110 (пусть даже 75) как у IRF3205. А есть еще и рассеиваемая мощность, ограничивающая и V и А любых транзисторов. Так что отталкиваться при выборе элемента, надо на нагрузку, на которую он будет работать. Например, применение IRF740 станет нерентабельным лишь при U

Имел дело с данным типом транзисторов, но к сожалению отрицательный. В свое время делал контроллер для трехфазного двигателя, который подключался через мою схему в сеть 220 В. К сожалению почему-то постоянно горели, хотя по осцилограммах все было в порядке и сдвиг фаз соблюдался правильный, а в качестве нагрузки использовал 3 лампочки по 50Вт, подключенных треугольником.

Не совсем понятно, для какого двигателя и какой контролер вы делали? Трехфазники, как правило предназначены для работы в 220-вольтовой трехфазной электросети. А данный транзистор рассчитан на полсотни. Частотным преобразователям для таких двигателей нужны совсем другие транзисторы.
В любом случае, как нагрузка импульсных преобразователей, лампочка вместо обмотки двигателя — не гуд. У нее очень низкое сопротивление в холодном состоянии, что обуславливает резкий токовый скачек при включении. Это надо учитывать.

Добрый день. На принципиальной схеме транзистора затвор ошибочно именуется истоком. Исправьте, пожалуйста.

Научитесь правильно переводить МОм в Омы

А какой выброс напряжения сток-исток? Предположу, что горят из-за импульсного превышения напряжения.

У вас на картинке два истока, исправьте

Зачем покупать, их полно в безперебойниках, называемых UPS.

Чё то выгорели они у меня на преобразователе. 12/550. Ватт 400 выжал 2 шт ставил irf3205. Работали но не долго.

Купил на алике преобразователь 12v-220v, 500 вт взорвались эти сраные тразисторы, купил новые, та же хрень.

Источник

Транзистор IRF3205

В документации (datasheet) по характеристикам от МОП-транзистора IRF3205 (HEXFET) говорится – это современный, высокопроизводительное устройство от компании International Rectifier (IR) с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открытом состоянии, составляющее порядка 0,008 Ом. Из за низкого внутреннего сопротивления его часто используют для коммутации цепей в инверторах, электроинструменте, преобразователях постоянного тока и т.д.

Power MOSFET-транзистор отличается от обычного затвором с большей толщиной оксида кремния, выдерживающего высокое входное и выходное напряжение.

Цоколевка

Распиновка транзистор irf3205 выполнена в пластиковом корпусе TO-220. Такой обычно применяется при мощности рассеяния до 50 Ватт. Три металлических, гибких вывода имеют следующее назначение: 1) З-затвор (G-gate); 2) С-сток (D-drain); 3) И-исток (S-source). Именно такое назначение и порядок следования выводов, если смотреть на маркировку, у всех транзисторов с префиксом “irf” в 220 корпусе.

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (I_D) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой I_D, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при T_J = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (R_θJC=0.75°C /Вт) и кристалл-окружающая среда (R_θJA=62°C /Вт)_. Для большинства современных полевых МОП-транзисторов R_θJA определяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому R_θJA имеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем R_θJC.

Маркировка

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у irf3205 нет.

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток у мосфетов аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO₂ на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

Правила безопасности

Основная причина отказа у полевых транзисторов — КЗ между контактами стока-истока. В таком случае только внутреннее сопротивление источника напряжения сдерживает максимальный ток. Из за КЗ кристалл устройства плавится. А повышенное напряжение на затворе разрушает тонкий слой диэлектрика MOSFET. Таким образом, затвор irf3205 разрушится если напряжение на нем будет превысит 25 вольт. Производители советуют выбирать транзистор с 30% запасом по ожидаемым параметрам, при этом должны быть соблюдены требования по подавлению различных скачков напряжения и тока.

Применение

Предельно допустимое напряжение сток-исток до 55 В, позволяют использовать транзистор IRF 3205 в преобразователях напряжения работающих от 12 до 36 В, в бесперебойных источниках питания и др. Он так же популярен при работе в ключевом режиме в повышающих высокочастотных инверторах, например автомобильных. Посредством параллельного включения нескольких корпусов есть возможность построения преобразователей, рассчитанных на значительные токи. На видео можно посмотреть одну из простейших схем собранных на irf 3205 – сенсорный выключатель.

Производители

Далее можете скачать DataSheet транзистора IRF3205 от нескольких производителей. В России наиболее распространены: International Rectifier; Infineon Technologies. Однако, встречаются и других марок: First Silicon, Nell, Kersemi Electronic и др.

Источник

Транзистор IRF3205: Характеристики, аналоги, распиновки и datasheet

IRF3205 – это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET). Его предназначение заключается в использовании в схемах регуляторов мощности, высокочастотных импульсных источников питания, преобразователей, звуковых усилителей и прочего. Его главная особенность, которая выделяет его на рынке – крайне низкое сопротивление в его открытом состоянии. Оно составляет всего около 0.008 Ом. Именно поэтому его удобно использовать при создании преобразователей постоянного тока.

Помимо прочего, он относится к так называемым Power MOSFET, что означает большую толщину оксида кремния внутри на его затворе. Такое отличие позволяет ему выдерживать высокие выходные нагрузки. Благодаря параметрам этого транзистора, его используют как радиолюбители, так и промышленности. В производстве он используется при создании инверторов, электрического инструмента для коммутации цепей в них. А также зачастую пользуется спросом у автопроизводителей, если у них появляется необходимость в управлении цепями с большим током и относительно небольшим напряжением.

Высокая стойкость к нагрузкам, быстрое переключение и полные лавинные параметры, указанные в datasheet, делают его наиболее востребованным вариантом для большинства проектов.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости – так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки – металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы – диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Размеры IRF3205

Такого вида транзисторы зачастую отличаются между собой толщиной и другими размерами. Чтобы не допустить какие-либо ошибки, производители всегда указывают точные габариты в datasheet компонента. Также они учитывают производственные процессы и отмечают допуски.

Исходя из этих размеров, Вы можете рассчитать правильное положение транзистора на плате и в корпусе и подобрать подходящий радиатор.

Характеристики IRF3205

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер – это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Виды IRF3205

Данный MOSFET транзистор имеет только одну форму выпуска – в корпусе TO220AB. Если Вам требуется транзистор другого размера, можно попробовать найти подходящий вам вариант среди аналогов IRF3205.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока. Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы – тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией – 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр – падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя – International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” – (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно – “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL – TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS – D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

Аналоги IRF3205

В настоящий момент почти каждый именитый производитель, изготавливает аналоги IRF3205, Эта модель выпускается с 2001 года, при этом уже 20 лет удерживается на рынке. Вот небольшой список:

Помимо этого существует и отечественный продукт – аналог с маркировкой КП783A.

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема – короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

Datasheet IRF3205

Даташит компонента можно найти на сайте одного из производителей. https://www.infineon.com/dgdl/irf3205pbf.pdf

Здесь Вы найдете всю наиболее полную информацию о транзисторе, его описание, характеристики, графики зависимостей и важные примечания. Обязательно изучите datasheet перед применением компонента в ответственных проектах.

Производители IRF3205

IRF3205 выпускается многими именитыми производителями радиокомпонентов и микросхем, но наиболее распространенными в СНГ являются модели производства International Rectifier и Infineon Technologies. Иногда можно встретить компоненты, выпущенные First Silicon, Nell, а также Kersemi Electronic.

Все компании имеют примерно одинаковый техпроцесс, а, соответственно, и приблизительно одинаковые характеристики. Но перед использованием конкретной марки, я советую изучить datasheet от этого производителя.

Где купить IRF3205?

Так как этот транзистор выпускается уже много лет и успел обрести огромную популярность в среде производителей и радиолюбителей, приобрести его не составит труда: купить его не только, заказав через Интернет, но и, практически, в любом обычном магазине радиокомпонентов. Однако, вероятнее всего, у нас Вы сможете купить их только с большой наценкой, чего можно избежать, если воспользуетесь услугами AliExpress.

Источник